RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Сравнить
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB против Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
48
Около -92% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.9
8.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.2
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
48
25
Скорость чтения, Гб/сек
8.9
16.9
Скорость записи, Гб/сек
5.9
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1420
2782
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213382 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Kingston KF2666C16S4/16G 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0830160B 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213341 4GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Crucial Technology BLE8G4D26AFEA.16FAD 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRK 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3200 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
SK Hynix HMT451U6MFR8C-PB 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G3B1 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link