RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Сравнить
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB против Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
48
Около -167% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20.4
8.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
18.1
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
48
18
Скорость чтения, Гб/сек
8.9
20.4
Скорость записи, Гб/сек
5.9
18.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1420
3529
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2B2 32GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-3600 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A2666C18 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingston 9905471-023.A00LF 8GB
Kingston HP536727-H41-ELD 4GB
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Corsair CMU32GX4M2A2400C14 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXKB 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-16GRS 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Good Wealth Technology Ltd. KETECH 8GB
Elpida EBE21UE8ACUA-8G-E 2GB
NSITEXE Inc Visenta 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link