RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Сравнить
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB против SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
48
Около -50% меньшая задержка
Выше скорость чтения
11.1
8.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.2
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
48
32
Скорость чтения, Гб/сек
8.9
11.1
Скорость записи, Гб/сек
5.9
9.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1420
2449
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD440D82-2400E 4G
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C16 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
AMD R9S48G3206U2S 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Crucial Technology BL32G32C16U4R.M16FB1 32GB
Samsung M393A1G40DB0-CPB 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400S464L17S/8G 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Essencore Limited IM48GU88N24-FFFHA0 8GB
Kingston KP4T2F-PSB 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1A2 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Samsung M386A4G40DM0-CPB 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology AO1P21FC8T1-BSKS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link