RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Сравнить
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB против Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
42
48
Около -14% меньшая задержка
Выше скорость чтения
11.1
8.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.3
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
48
42
Скорость чтения, Гб/сек
8.9
11.1
Скорость записи, Гб/сек
5.9
9.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1420
2551
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB Сравнения RAM
G Skill Intl F3-1600C9-4GRSL 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH 8GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTRS 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GTZN 32GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Kingston K821PJ-MIB 16GB
A-DATA Technology AM1U16BC4P2-B19C 4GB
Micron Technology 18ADF2G72PZ-2G3B1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3866C18-4GTZ 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSA.M16FAD 8GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G213381S 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVKC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU7MFR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FE 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824A.M16FE1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZB 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link