RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Сравнить
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB против A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Средняя оценка
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
47
Около -57% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.8
9.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.5
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
30
Скорость чтения, Гб/сек
9.3
16.8
Скорость записи, Гб/сек
5.9
11.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1413
3019
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Mushkin 99[2/7/4]200F 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Crucial Technology BLE4G4D30AEEA.K8FE 4GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB
G Skill Intl F3-10600CL9-2GBNT 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.C8FE 16GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
Kingston 99U5403-468.A00LF 8GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
InnoDisk Corporation M4U0-8GSSKCSJ 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1AY 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link