RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Сравнить
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB против Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Средняя оценка
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
23
47
Около -104% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.8
9.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.8
5.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
47
23
Скорость чтения, Гб/сек
9.3
17.8
Скорость записи, Гб/сек
5.9
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1413
3015
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB Сравнения RAM
Kingston TSB16D3LS1KBG/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.M16FRS 16GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
V-Color Technology Inc. TN416G26D819-SB 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Transcend Information JM3200HSE-32G 32GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905625-075.A00G 16GB
Samsung M323R2GA3BB0-CQKOD 16GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M378A5143TB2-CTD 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2666 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
SK Hynix HMA851S6DJR6N-VK 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Kingston 99U5471-012.A00LF 4GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NF-CG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link