RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Сравнить
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB против Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Средняя оценка
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
32
41
Около -28% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16.2
13.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.5
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
32
Скорость чтения, Гб/сек
13.3
16.2
Скорость записи, Гб/сек
9.0
12.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2016
3148
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Сравнения RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Kingston CBD26D4U9S8ME-8 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZRX 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Asgard VMA42UH-MEC1U2AJ2 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266682 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK16GX4M2L3000C15 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6B1 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AM1P24HC8T1-BBJS 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Ramaxel Technology RMSA3340MB88HBF-3200 16GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN26-SE 8GB
Samsung M391B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4400C17-8GVK 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
DSL Memory D4SH1G081SH26A-C 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Kingston KHX2133C13S4/4G 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M47472K43DB1-CTD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link