RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сравнить
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB против Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
41
51
Около 20% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
15.6
13.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
9.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
12800
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
51
Скорость чтения, Гб/сек
13.3
15.6
Скорость записи, Гб/сек
9.0
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
25600
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 25 26 28
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2016
2687
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB Сравнения RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Nanya Technology NT2GC64B8HC0NS-CG 2GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3A1 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
Samsung M386A4G40DM1-CRC 32GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BL8G32C16U4BL.M8FE1 8GB
Crucial Technology BLE4G3D1608DE1TX0. 4GB
Apacer Technology 78.BAGP4.AR50C 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp S949B2UUH-ITR 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GFX 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Kingmax Semiconductor GLLH22F-18KII5------ 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston 9905678-058.A00G 4GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Kingston MSI24D4S7D8MB-8 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link