Samsung M471B5273DH0-YH9 4GB против Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB

-->

Средняя оценка

Samsung M471B5273DH0-YH9 4GB

Samsung M471B5273DH0-YH9 4GB

Средняя оценка

Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB

Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471B5273DH0-YH9 4GB

Причины выбрать
Samsung M471B5273DH0-YH9 4GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

28 41

Около 32% меньшая задержка

Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB

Причины выбрать
Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB

Сообщить об ошибке

Выше скорость чтения

12.9 6.2

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

9.0 4.4

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

12800 10600

Около 1.21 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M471B5273DH0-YH9 4GB

Samsung M471B5273DH0-YK0 4GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR3
Задержка в PassMark, нс

28 41
Скорость чтения, Гб/сек

6.2 12.9
Скорость записи, Гб/сек

4.4 9.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек

10600 12800

Other

Описание

PC3-10600, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
Тайминги / частота

7-7-7-20 / 1333 MHz 9-9-9-24 / 1600 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

625 1958

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB

Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB

Corsair CMR32GX4M4C3333C16 8GB

модули RAM

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB

Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB

Crucial Technology BL4G24C16U4B.8FE 4GB

модули RAM

PNY Electronics PNY 2GB

PNY Electronics PNY 2GB

Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB

Essencore Limited IM44GU48N24-FFFHAB 4GB

модули RAM

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB

Kingston KST-2133MHZ-4G 4GB

модули RAM

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB

Crucial Technology CT4G4SFS624A.C4FB 4GB

модули RAM

Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB

Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB

Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G6B1 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB

V-Color Technology Inc. TD8G16C16-UHK 8GB

модули RAM

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB

Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FDD1 8GB

модули RAM

AMD R5316G1609U2K 8GB

AMD R5316G1609U2K 8GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB

Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FE 4GB

модули RAM

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB

G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB

G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB

модули RAM

Kingston KVR533D2N4 512MB

Kingston KVR533D2N4 512MB

Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB

Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB

модули RAM

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB

G Skill Intl F4-3200C16-8GTZ 8GB

модули RAM

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB

Kingston 9905678-012.A00G 8GB

Kingston 9905678-012.A00G 8GB

модули RAM

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB

Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB

Corsair CMK8GX4M2B4266C19 4GB

модули RAM