RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Сравнить
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB против Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Средняя оценка
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
40
Около -43% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.6
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.4
8.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
28
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
18.6
Скорость записи, Гб/сек
8.9
14.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1789
3469
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Corsair CM4X8GD3000C15K4 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3000
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZNC 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4SFRA32A.C16FG 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Colorful Technology Ltd BAPC08G2666D4S8 8GB
Corsair CMK64GX4M4K3733C17 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTRS 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRG 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Virtium Technology Inc. VL4A1G63A-N6SE-NI 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Essencore Limited KD48GS88J-26N1900 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
SK Hynix HMA42GR7MFR4N-TF 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link