RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Сравнить
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB против Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Средняя оценка
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
12.3
10.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
36
40
Около -11% меньшая задержка
Выше скорость записи
12.8
8.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
36
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
10.4
Скорость записи, Гб/сек
8.9
12.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1789
2587
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Corsair CMR64GX4M8C3200C16 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFRA266.M8FRS 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKY 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMK64GX4M8A2666C16 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CM4X16GC3000C15D4 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Kingston ACR24D4S7D8MB-16 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15/8G 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Transcend Information TS2GSH64V4B 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Apacer Technology 78.C1GM3.C7Z0C 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZRX 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Essencore Limited KD48GU880-26N160T 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology BL16G26C16U4W.16FD 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link