RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Сравнить
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB против Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Средняя оценка
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
37
40
Около -8% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.8
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.3
8.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
37
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
15.8
Скорость записи, Гб/сек
8.9
14.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1789
3373
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Crucial Technology BL16G26C16U4B.16FE 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMSX16GX4M2A3000C16 8GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD824AC16FBD1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
SK Hynix HMA451U7MFR8N-TF 4GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHA0 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Kingston KTD3KX-HYA 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
A-DATA Technology DDR4 2133 2OZ 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMW16GX4M2C3466C16 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.BAGNF.40C0B 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FBR2 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Samsung M393A1G43EB1-CRC 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C15 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link