RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Сравнить
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB против G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
31
40
Около -29% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.9
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.4
8.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
31
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
14.9
Скорость записи, Гб/сек
8.9
11.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1789
2330
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB Сравнения RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FBR2 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3200C14 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMW32GX4M4K4266C19 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-4GRS 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Avant Technology W641GU42J5213NC 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Kingston KHX21334D4/8G 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Hua Nan San Xian Technology Co Ltd HNMI8GD4240D0 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMK32GX4M2B3200C16 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.M8FE 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link