RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Сравнить
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB против G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
40
Около -5% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.5
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.5
8.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
38
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
14.5
Скорость записи, Гб/сек
8.9
10.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1789
3017
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Maxsun MSD48G26Q3 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Elpida EBJ17RG4EFWA-DJ-F 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GRKB 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston HX424C15PB/4 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-4GRRD 4GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Avant Technology W6451U66J7240ND 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVRB 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FJ 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
V-GEN D4S4GL32A16TS 4GB
takeMS International AG TMS2GB264D083805EV 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.M16FE1 16GB
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link