RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Сравнить
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB против G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
40
Около -38% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.5
8.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
29
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
18.0
Скорость записи, Гб/сек
8.9
16.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1789
3779
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston ACR26D4S9S1ME-4 4GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZR 8GB
Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB
Teikon TMA81GS6AFR8N-UHSC 8GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Ramaxel Technology RMUA5120MB86H9F2400 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BL8G32C16U4R.8FE 8GB
PNY Electronics PNY 2GB
Transcend Information TS1GLH72V1H 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Kingston KHX2133C13S4/8G 8GB
Team Group Inc. ZEUS-2133 8GB
Corsair CMT32GX4M2C3466C16 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GIS 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMWX16GC3000C16W4D 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3400C16 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Kingston LV32D4S2S8HD-8 8GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link