RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Сравнить
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB против Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Средняя оценка
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
40
43
Около 7% меньшая задержка
Причины выбрать
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.1
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.7
8.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
43
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
16.1
Скорость записи, Гб/сек
8.9
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1789
2928
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB Сравнения RAM
Kingston MSI26D4S9D8ME-16 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-32GNT 32GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
EVGA 8GX-D4-3000-MR 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Micron Technology AFLD48EH1P 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-3G2J1 4GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E86-3200D 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston ACR26D4S9S8KA-8 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHA0 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Kingston 9905701-008.A00G 16GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C16 8GB 8GB
Kingston 99U5474-037.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4133C19 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link