RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Сравнить
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB против Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Средняя оценка
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
40
Около -60% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.9
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.1
8.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
25
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
15.9
Скорость записи, Гб/сек
8.9
12.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1789
2781
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KF552C40-16 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Panram International Corporation PUD43000C168G2NJR 8GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3000C16 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B1 16GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Corsair CMK32GX4M2F4000C19 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
G Skill Intl F4-2400C16-8GRSB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3200C16A 8GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Kingston 9965667-001.A00G 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Corsair CMV4GX4M1A2666C18 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
KingSpec KingSpec 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link