Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB против Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB

-->

Средняя оценка

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Средняя оценка

Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Причины выбрать
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Сообщить об ошибке

Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB

Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

22 40

Около -82% меньшая задержка
Выше скорость чтения

17.6 12.3

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

12.7 8.9

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

17000 12800

Около 1.33 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

40 22
Скорость чтения, Гб/сек

12.3 17.6
Скорость записи, Гб/сек

8.9 12.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 17000

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1789 2902

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB

Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB

Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C14 Series 8GB

модули RAM

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB

A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB

A-DATA Technology AO1P32NC8W1-BD2SHC 8GB

модули RAM

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Kingston 9965525-140.A00LF 8GB

Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB

Crucial Technology BLT4G4D26AFTA.8FBD 4GB

модули RAM

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB

G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB

G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB

модули RAM

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB

Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB

Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB

модули RAM

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB

Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB

Kllisre 8ATF1G64AZ-2G6H1 8GB

модули RAM

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB

Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB

Corsair CM4X8GC3000C15K4 8GB

модули RAM

Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB

Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB

EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB

EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB

модули RAM

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB

A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB

A-DATA Technology AO2P24HCST2-BTVS 16GB

модули RAM

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB

Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FJ 8GB

модули RAM

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB

Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB

модули RAM

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB

Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB

модули RAM

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB

G Skill Intl F4-3600C14-8GTRSB 8GB

модули RAM