RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Сравнить
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB против SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Средняя оценка
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
40
Около -33% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.7
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.7
8.9
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
23400
12800
Около 1.83 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
40
30
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
14.7
Скорость записи, Гб/сек
8.9
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
23400
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-23400, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
19-19-19, 20-20-20, 21-21-21, 22-22-22 / 2933 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1789
2935
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB Сравнения RAM
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Samsung M378B1G73DB0-CK0 8GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-WM 16GB Сравнения RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Corsair CM4X8GF2400C16S4 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Kingston 9965600-018.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Apacer Technology 78.01GA0.AF5 1GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
SK Hynix HMA81GU7CJR8N-VK 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Tanbassh 8G 2666MHZ 8GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Team Group Inc. Xtreem-D2-667 1GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link