RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
30
Около -15% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.1
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.6
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
26
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
15.1
Скорость записи, Гб/сек
6.8
11.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
2579
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSD.M16FAD 8GB Сравнения RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology CB8GS2666.C8ET 8GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GL7MMR4N
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Micron Technology 16ATF4G64HZ-3G2E1 32GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
A-DATA Technology AO1P29KC8T1-BY9SSB 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BBFS 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-4GVK 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMWB8G1L2666A16W4 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Kingston 9905701-011.A00G 16GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z4000C18 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 4GB 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link