RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
30
Около -20% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.7
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.2
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
25
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
15.7
Скорость записи, Гб/сек
6.8
12.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
2871
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
G Skill Intl F4-2800C16-4GRR 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSB.16FD2 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C20 Series 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMW8GX4M1Z3600C18 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FE 4GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Kingston 99U5702-094.A00G 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.16FE 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology BL16G30C15U4B.16FE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Avant Technology J641GU42J5213N0 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C8FE 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMR16GX4M2A2666C16 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRG 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRS 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link