RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
33
Около 9% меньшая задержка
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
11.6
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
8.3
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
33
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
11.6
Скорость записи, Гб/сек
6.8
8.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
2227
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-UH 8GB Сравнения RAM
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Ramsta Ramsta-2666MHz-4G 4GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSC.8FBD2 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Kingston 9905743-045.A00G 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CT8G4SFD8213.C16FBD2 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
SK Hynix HMA84GR7AFR4N-VK 32GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Micron Technology 4ATS1G64HZ-2G3B1 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Lenovo LMKU8G68AHFHD-32A 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GVK 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston KHX2400C14/16G 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Corsair CM4B16G1L3200K18K2 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link