RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
44
Около 32% меньшая задержка
Причины выбрать
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.6
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
14.2
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
8500
Около 3.01 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
44
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
16.6
Скорость записи, Гб/сек
6.8
14.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
25600
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
3146
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Lexar Co Limited LD4AS016G-H3200GST 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZ 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Crucial Technology BLS16G4S26BFSD.16FBD 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GRR 4GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Essencore Limited KD48GU880-36A180X 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston KHX3200C16D4/32GX 32GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U1632160DCW 16G
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3600C18 16GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link