RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
6.8
6.6
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
11.7
10.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
30
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
11.7
Скорость записи, Гб/сек
6.8
6.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
1832
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Memphis Electronic D4SO1G724GI-A58SD 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GVK 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Kingston 9905474-019.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL17-17-17 D4-2400
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GVKB 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FADP 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Kingston 9965669-025.A00G 8GB
Corsair CMZ8GX3M2A1600C9G 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.M8FB 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Avant Technology J642GU42J7240N4 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Transcend Information TS2GLH64V4B 16GB
Samsung M471B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FGM 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FBR 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTZR 32GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link