Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB против Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB

Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    38 left arrow 45
    Около 16% меньшая задержка
  • Выше пропускная способность
    12800 left arrow 1900
    Около 6.74% выше полоса пропускания
  • Выше скорость чтения
    11.7 left arrow 7.2
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    8.4 left arrow 3.0
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    38 left arrow 45
  • Скорость чтения, Гб/сек
    7.2 left arrow 11.7
  • Скорость записи, Гб/сек
    3.0 left arrow 8.4
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 1900
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-1900, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow no data
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    915 left arrow 2387
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения