RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Сравнить
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB против Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
38
Около -27% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.6
7.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
3.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
30
Скорость чтения, Гб/сек
7.2
15.6
Скорость записи, Гб/сек
3.0
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
915
2341
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingmax Semiconductor GSAH22F-18---------- 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSD.16FBD2 8GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CMG32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp M378A1K43BB1-CPB 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Nanya Technology NT512T64U88B0BY-3C 512MB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2J1 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA451S6AFR8N-TF 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Kingston 99U5734-014.A00G 16GB
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4A2400C12 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link