RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Сравнить
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB против Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
30
38
Около -27% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.6
7.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
3.0
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
30
Скорость чтения, Гб/сек
7.2
15.6
Скорость записи, Гб/сек
3.0
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
915
2341
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-YK0 2GB
Micron Technology 4KTF25664HZ-1G6E1 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
A-DATA Technology AD4S3200316G22-BHYD 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Wilk Elektronik S.A. IR2133D464L15S/4G 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
Corsair CMK64GX4M4E3200C16 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Apacer Technology 78.C1GMW.AZC0B 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Corsair CMK64GX4M8X3600C18 8GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2B2 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-2933C14-8GTZRX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-16GRS 16GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CMK32GX4M4B3200C14 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Mushkin 99[2/7/4]198F 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
A-DATA Technology AM2P24HC8T1-BUSS 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link