RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Сравнить
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB против Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Средняя оценка
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
43
Около -65% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.9
11
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.5
7.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
12800
10600
Около 1.21 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR3
Задержка в PassMark, нс
43
26
Скорость чтения, Гб/сек
11.0
13.9
Скорость записи, Гб/сек
7.2
9.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
12800
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
9-9-9-24 / 1600 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1393
2432
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB Сравнения RAM
Kingston HP32D4S2S1ME-4 4GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KHX16LC9/8GX 8GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.16FBD 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston KC5N22-MIE 16GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-16GTZ 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FBD2 4GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVB 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
Kllisre D4 8G 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Panram International Corporation M424051 4GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133S464L15S/8G 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link