RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Сравнить
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB против Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
-->
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Средняя оценка
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
18
46
Около -156% меньшая задержка
Выше скорость чтения
21.2
14.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.7
13.6
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
18
Скорость чтения, Гб/сек
14.2
21.2
Скорость записи, Гб/сек
13.6
17.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
17000
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2717
3663
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Kingston 99U5428-063.A00LF 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.8FE 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMD8GX4M2B3866C18 4GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CE6 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Micron Technology 8G2666CL19 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
OM Nanotech Pvt.Ltd V1D4S816GB2G82G83200 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Corsair CMW128GX4M4D3600C18 32GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology CT16G4DFS8266.C8FE 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Samsung M471A4G43BB1-CWE 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link