RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Сравнить
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB против Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
-->
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Средняя оценка
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
20
46
Около -130% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.3
14.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.3
13.6
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
20
Скорость чтения, Гб/сек
14.2
19.3
Скорость записи, Гб/сек
13.6
15.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
17000
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2717
3492
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-VK 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS8213.C8FHP 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3A1 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FN 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZ 8GB
Team Group Inc. Team-Elite-1333 4GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Samsung M471A1K43CBCBCRC 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Hewlett-Packard 7EH68AA# 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link