RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Сравнить
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB против Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
-->
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Средняя оценка
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
46
Около -31% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.2
14.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.8
13.6
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
35
Скорость чтения, Гб/сек
14.2
17.2
Скорость записи, Гб/сек
13.6
16.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
17000
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2717
3225
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMT128GX4M8X3600C18 16GB Сравнения RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
V-Color Technology Inc. TC416G24D817 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Kingston 9905670-012.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Corsair CMR16GX4M2C 8GB
Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
Samsung M391A1G43EB1-CRC 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GVRB 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Essencore Limited KD4AGU880-32A160X 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GIS 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2400C14-4GRK 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Samsung M471B5773DH0-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GVK 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link