RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Сравнить
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB против Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
-->
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Средняя оценка
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
46
66
Около 30% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.6
9.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.4
14.2
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
66
Скорость чтения, Гб/сек
14.2
16.4
Скорость записи, Гб/сек
13.6
9.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
21300
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2717
2038
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSE.8FBR2 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 8ATF1G64HZ-2G3B2 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FBD2 4GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3600C18A 8GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTRS 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FBR2 4GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C16 16GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GNS 8GB
Kingston KHX318C10FR/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7AFR4N
AMD R538G1601U2S 8GB
Kingston 9905703-011.A00G 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMK64GX4M2A2666C16 32GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FE 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link