RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Сравнить
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB против G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
-->
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Сообщить об ошибке
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25% выше полоса пропускания
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
46
Около -59% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.4
14.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
15.9
13.6
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
29
Скорость чтения, Гб/сек
14.2
18.4
Скорость записи, Гб/сек
13.6
15.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
17000
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2717
3736
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GTRS 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK8GX4M1A2400C14 8GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Crucial Technology BLE8G4D32BEEAK.K8FB 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Kingston HP26D4U9S1ME-4 4GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXFB 8GB
Nanya Technology M2F4GH64CB8HB6N-CG 4GB
Crucial Technology BL32G32C16S4B.16FB 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMK32GX4M4A2800C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3000
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link