RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Сравнить
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB против Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
-->
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Средняя оценка
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
46
53
Около 13% меньшая задержка
Выше скорость записи
13.6
13.5
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
14.9
14.2
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
53
Скорость чтения, Гб/сек
14.2
14.9
Скорость записи, Гб/сек
13.6
13.5
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
25600
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24 26 28
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2717
2643
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD432G32002S 32GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A5244CB0-CRC 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
A-DATA Technology AO1P26KCST2-BWWS 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXF 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK8GX4M2B4200C19 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FB 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD416E82-3600 16G
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Gold Key Technology Co Ltd NMSO416F82-3200E 16GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRG 16GB
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4WL.M16FE 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA42GR7MFR4N
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link