RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Сравнить
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB против Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
-->
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Средняя оценка
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
33
46
Около -39% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.5
14.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
13.8
13.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
25600
21300
Около 1.2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
33
Скорость чтения, Гб/сек
14.2
18.5
Скорость записи, Гб/сек
13.6
13.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
25600
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2717
3341
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GTZ 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Samsung M378A2K43EB1-CWE 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9905630-025.A00G 8GB
SK Hynix HYMP112S64CP6-S6 1GB
Apacer Technology 78.C1GS7.AUW0B 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Mushkin 99[2/7/4]197F 8GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Corsair CMD64GX4M8X4000C19 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Corsair CMZ16GX3M4A2400C9 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTZN 32GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTRG 32GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-VK 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
Kingston CBD32D4S2S1ME-8 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G6H1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link