RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Сравнить
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB против Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
-->
Средняя оценка
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Средняя оценка
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
13.6
9.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
17000
Около 1.25% выше полоса пропускания
Причины выбрать
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
46
Около -84% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.5
14.2
Среднее значение в тестах
Спецификации
Полный список технических характеристик
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
46
25
Скорость чтения, Гб/сек
14.2
14.5
Скорость записи, Гб/сек
13.6
9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
17000
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2717
2368
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081 4GB
Samsung M378B5173EB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston KVR24N17S8/4 4GB
PNY Electronics PNY 2GB
Smart Modular SF4642G8CK8IEHLSBG 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingmax Semiconductor GZAG43F-18---------- 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingmax Semiconductor GSLF62F-D8---------- 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
DSL Memory D4SS1G081SH24A-A 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
Kingston KHX1600C9D3/4G 4GB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G1AX 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston KF2933C17S4/32G 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Crucial Technology BL16G30C15U4W.M16FE1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMA82GU6MFR8N-TF 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link