RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Сравнить
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB против Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
-->
Средняя оценка
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Средняя оценка
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
31
Около 29% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.7
11
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.7
8.4
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Сообщить об ошибке
Спецификации
Полный список технических характеристик
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
22
31
Скорость чтения, Гб/сек
17.7
11.0
Скорость записи, Гб/сек
12.7
8.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
21300
21300
Other
Описание
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Тайминги / частота
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
3075
2271
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB Сравнения RAM
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Micron Technology 18ASF2G72AZ-2G1A1 16GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G6D1 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
KingSpec KingSpec 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GRK 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C12D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G21332 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-2400C16-16GFX 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Corsair CMRX8GD3000C16R4D 8GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-8GTZSW 8GB
Samsung M471B5273EB0-CK0 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8GKSBG 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GNT 4GB
Samsung M471B5773CHS-CH9 2GB
SK Hynix HMT425S6AFR6A-PB 2GB
Corsair CMW16GX4M2C3200C14 8GB
Corsair CMW64GX4M2E3200C16 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link