SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB против Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

SK Hynix DDR2 800 2G 2GB

Средняя оценка
star star star star star
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB

Различия

  • Выше скорость записи
    1,884.0 left arrow 1,813.5
    Среднее значение в тестах
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    56 left arrow 77
    Около -38% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    4 left arrow 2
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR2 left arrow DDR2
  • Задержка в PassMark, нс
    77 left arrow 56
  • Скорость чтения, Гб/сек
    2,936.9 left arrow 4,387.7
  • Скорость записи, Гб/сек
    1,884.0 left arrow 1,813.5
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    6400 left arrow 6400
Other
  • Описание
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
  • Тайминги / частота
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 5-5-5-15 / 800 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    564 left arrow 693
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения