RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Сравнить
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB против Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Средняя оценка
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
35
37
Около -6% меньшая задержка
Выше скорость чтения
15.4
14.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.3
10.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
17000
Около 1.13 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR4
DDR4
Задержка в PassMark, нс
37
35
Скорость чтения, Гб/сек
14.7
15.4
Скорость записи, Гб/сек
10.6
11.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
17000
19200
Other
Описание
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Тайминги / частота
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2438
2713
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB Сравнения RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3600
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Kingston HP16D3LS1KBGH/4G 4GB
Samsung V-GeN D4S8GL26A8TL5 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMD64GX4M4A2666C15 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Kingston 9905712-048.A00G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2K4500C19 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Samsung M378A5244CB0-CVF 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2133 CL15 8GB 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Kingston KHX3600C17D4/8GX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT325U6BFR8C
Lexar Co Limited LD4AS008G-H2666GST 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FBR2 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link