SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB

SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB против Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB

SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB

Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    33 left arrow 36
    Около -9% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    16.1 left arrow 15.4
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость записи
    13.0 left arrow 11.5
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    25600 left arrow 21300
    Около 1.2 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
SK Hynix HMA851S6JJR6N-VK 4GB
Samsung M471A1K43DB1-CWE 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR4 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    36 left arrow 33
  • Скорость чтения, Гб/сек
    15.4 left arrow 16.1
  • Скорость записи, Гб/сек
    11.5 left arrow 13.0
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    21300 left arrow 25600
Other
  • Описание
    PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
  • Тайминги / частота
    17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2320 left arrow 2987
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения