RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Сравнить
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB против G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
41
Около -41% меньшая задержка
Выше скорость чтения
19.3
11.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.0
7.3
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
10600
Около 1.6 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
29
Скорость чтения, Гб/сек
11.6
19.3
Скорость записи, Гб/сек
7.3
16.0
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
17000
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1438
3687
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB Сравнения RAM
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-041.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZR 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Corsair CMK32GX4M4K4266C19 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Corsair CMU16GX4M2D3000C16 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Panram International Corporation L421008G4C1528K34O8A 8
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Kingston 9905700-097.A00G 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-UH 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Samsung M378A1K43CB2-CRC 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4C-RD 16GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GVB 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMW64GX4M8C3466C16 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Teikon TMA451S6AFR8N-TFSC 4GB
Elpida EBJ41UF8BDU5-GN-F 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-20-20 D4-3200
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-4600C19-8GTZKKC 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link