RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Сравнить
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB против Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Средняя оценка
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
22
43
Около -95% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.2
10.7
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.4
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
10600
Около 1.81 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
22
Скорость чтения, Гб/сек
10.7
17.2
Скорость записи, Гб/сек
6.8
12.4
Пропускная способность памяти, мбит/сек
10600
19200
Other
Описание
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1314
3035
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB Сравнения RAM
Wilk Elektronik S.A. GR1600S364L11/8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd NMUD480E81-3200 8GB Сравнения RAM
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Avant Technology J642GU44J2320ND 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Kingston 9905678-138.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M8FB1 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology CT32G4DFD832A.C16FE 32GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
SK Hynix HMA84GR7MFR4N-TF 32GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Lexar Co Limited LD4AU008G-H3200GST 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMK32GX4M4D3600C18 8GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Smart Modular SMS4TDC3C0K0446SCG 4GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-3G2R1 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GS6AFR8N
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link