RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Сравнить
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB против G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Средняя оценка
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
25
38
Около -52% меньшая задержка
Выше скорость чтения
20
10.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.7
6.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
25
Скорость чтения, Гб/сек
10.9
20.0
Скорость записи, Гб/сек
6.6
17.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1406
3942
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GVK 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMD32GX4M2A2666C15 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology BL8G36C16U4B.M8FE1 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C16 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-2666
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Kingston KY7N41-MID 8GB
Kingston K1N7HK-ELC 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-16GSXWB 16GB
Samsung M471B5674QH0-YK0 2GB
Kingston 9905625-062.A00G 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK16GX4M1C3000C16 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMT32GX4M2K4000C19 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19161C 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link