RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Сравнить
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB против Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Средняя оценка
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
38
40
Около 5% меньшая задержка
Выше скорость чтения
10.9
9.1
Среднее значение в тестах
Причины выбрать
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость записи
6.9
6.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
40
Скорость чтения, Гб/сек
10.9
9.1
Скорость записи, Гб/сек
6.6
6.9
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, TBD1 V tolerant, TBD2 V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1406
2031
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N-UH 16GB Сравнения RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7MFR4N
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
AMD R538G1601U2S 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFX 4GB
Micron Technology 8JSF25664HZ-1G4D1 2GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTZB 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology AFLD416EH1P 16GB
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
G Skill Intl F4-2666C15-4GRR 4GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851U6AFR6N
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Kingston KHX3000C15D4/4GX 4GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FDD1 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link