RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Сравнить
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB против Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Средняя оценка
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
28
38
Около -36% меньшая задержка
Выше скорость чтения
12
10.9
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
9.1
6.6
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
12800
Около 1.33 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
38
28
Скорость чтения, Гб/сек
10.9
12.0
Скорость записи, Гб/сек
6.6
9.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
17000
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1406
2347
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB Сравнения RAM
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
SK Hynix HMT451S6MFR8C-PB 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB Сравнения RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C15 Series 8GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/2G 2GB
EVGA 8GX-D4-3200-MR 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA11 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston HP37D4U1S8ME-8XR 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3000E16082C 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Samsung M471A1A43CB1-CRC 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Crucial Technology CT16G4DFD824A.C16FBR 16GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M471A1K43BB1-CTD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
SK Hynix HMA81GS6MFR8N-UH 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSC.M16FAD 8GB
Ramaxel Technology RMSA3260NA78HAF-2666 8GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link