RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Сравнить
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB против Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
43
Около -65% меньшая задержка
Выше скорость чтения
17.2
12.3
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
17.1
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
43
26
Скорость чтения, Гб/сек
12.3
17.2
Скорость записи, Гб/сек
8.1
17.1
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1706
3757
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB Сравнения RAM
OCZ OCZ3G1600LV2G 2GB
OCZ OCZ3G16002G 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB Сравнения RAM
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M471A1K43CB1-CRCR 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRP3600D4V64L17/16G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.C1GQ5.C7C0B 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
A-DATA Technology DDR4 3300 2OZ 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C16-8GVR 8GB
Kingston 99U5471-002.A01LF 2GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Kingston 99P5474-014.A00LF 4GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Kingston KHX3600C18D4/16GX 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA81GS6DJR8N-XN 8GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Kingston KHX2400C15S4/4G 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Kingston KCRXJ6-MIE 16GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link