SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB против A-DATA Technology DDR4 4133 8GB

-->

Средняя оценка

SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB

SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Средняя оценка

A-DATA Technology DDR4 4133 8GB

A-DATA Technology DDR4 4133 8GB

Различия Спецификации Комментарии

Различия

SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Причины выбрать
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Сообщить об ошибке

A-DATA Technology DDR4 4133 8GB

Причины выбрать
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB

Сообщить об ошибке

Ниже задержка в тестах PassMark, нс

28 46

Около -64% меньшая задержка
Выше скорость чтения

18.6 11.6

Среднее значение в тестах
Выше скорость записи

15.7 8.0

Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность

21300 12800

Около 1.66 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик

SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB

A-DATA Technology DDR4 4133 8GB

Основные характеристики

Тип памяти

DDR3 DDR4
Задержка в PassMark, нс

46 28
Скорость чтения, Гб/сек

11.6 18.6
Скорость записи, Гб/сек

8.0 15.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек

12800 21300

Other

Описание

PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота

9-9-9-24 / 1600 MHz 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)

1854 3741

Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)

Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

Последние сравнения

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB

Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB

Crucial Technology CT8G4SFD824A.C16FBD2 8GB

модули RAM

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB

G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB

G Skill Intl F4-3000C16-16GVRB 16GB

модули RAM

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB

A-DATA Technology DDR4 2400 16GB

A-DATA Technology DDR4 2400 16GB

модули RAM

Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB

Nanya Technology M2Y1G64TU8HB0B-25C 1GB

Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB

Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB

модули RAM

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB

Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB

модули RAM

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

Kingston 99U5403-036.A00G 4GB

Kingston K9CXF2-MIE 8GB

Kingston K9CXF2-MIE 8GB

модули RAM

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB

G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB

G Skill Intl F4-2800C17-8GVR 8GB

модули RAM

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB

G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB

G Skill Intl F4-4000C18-32GVK 32GB

модули RAM

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB

Mushkin 99[2/7/4]204[F/T] 4GB

модули RAM

Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB

Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB

Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB

Kingston CBD26D4S9S8ME-8 8GB

модули RAM

Kingston 9905403-174.A00LF 2GB

Kingston 9905403-174.A00LF 2GB

Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB

Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE1 8GB

модули RAM

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB

Elpida EBJ41UF8EDU0-DJ-F 4GB

Elpida EBJ41UF8EDU0-DJ-F 4GB

модули RAM

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB

Kingston 9905743-034.A00G 8GB

Kingston 9905743-034.A00G 8GB

модули RAM

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB

Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB

Samsung M386A8K40CM2-CRC 64GB

модули RAM