SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB

SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB против Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB

SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB

Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB

Различия

  • Выше скорость записи
    8.0 left arrow 7.2
    Среднее значение в тестах
  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    42 left arrow 46
    Около -10% меньшая задержка
  • Выше скорость чтения
    12 left arrow 11.6
    Среднее значение в тестах

Спецификации

Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Samsung M471B5173BH0-CK0 4GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR3
  • Задержка в PassMark, нс
    46 left arrow 42
  • Скорость чтения, Гб/сек
    11.6 left arrow 12.0
  • Скорость записи, Гб/сек
    8.0 left arrow 7.2
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    12800 left arrow 12800
Other
  • Описание
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
  • Тайминги / частота
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 9-9-9-24 / 1600 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    1854 left arrow 1933
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения