SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB против Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB

-->
Средняя оценка
star star star star star
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB

Средняя оценка
star star star star star
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB

Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB

Различия

  • Ниже задержка в тестах PassMark, нс
    42 left arrow 72
    Около 42% меньшая задержка
  • Выше скорость записи
    8.3 left arrow 8.0
    Среднее значение в тестах
  • Выше скорость чтения
    15.3 left arrow 13.7
    Среднее значение в тестах
  • Выше пропускная способность
    19200 left arrow 10600
    Около 1.81 выше полоса пропускания

Спецификации

Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/8G 8GB
Основные характеристики
  • Тип памяти
    DDR3 left arrow DDR4
  • Задержка в PassMark, нс
    42 left arrow 72
  • Скорость чтения, Гб/сек
    13.7 left arrow 15.3
  • Скорость записи, Гб/сек
    8.3 left arrow 8.0
  • Пропускная способность памяти, мбит/сек
    10600 left arrow 19200
Other
  • Описание
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 left arrow PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15 16 17 18 19 20
  • Тайминги / частота
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
  • Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
    2152 left arrow 1817
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
RAM 2

Последние сравнения