RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Сравнить
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB против Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Средняя оценка
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
41
Около -58% меньшая задержка
Выше скорость чтения
14.6
10.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
11.8
7.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
26
Скорость чтения, Гб/сек
10.1
14.6
Скорость записи, Гб/сек
7.1
11.8
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1484
3124
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Сравнения RAM
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB Сравнения RAM
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 8GB CL16 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2Z2666C16 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Transcend Information TS1GSH64V4B 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Elpida EBJ21UE8BDS0-DJ-F 2GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0CS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240041 4GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology CT16G4S24AM.M16FE 16GB
SK Hynix HMT351S6CFR8C-H9 4GB
Kingston ACR16D3LS1KFG/4G 4GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
SK Hynix HMAA1GS6CJR6N-XN 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2J1 8GB
Kingston KHX1866C9D3/8GX 8GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.M8FE 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZSW 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link