RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Сравнить
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB против Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
-->
Средняя оценка
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Средняя оценка
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
26
41
Около -58% меньшая задержка
Выше скорость чтения
18.6
10.1
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
16.2
7.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
21300
12800
Около 1.66 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
41
26
Скорость чтения, Гб/сек
10.1
18.6
Скорость записи, Гб/сек
7.1
16.2
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
21300
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1484
3756
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB Сравнения RAM
Ramaxel Technology RMT3170MP68F9F1600 4GB
Nanya Technology NT2GC64B88B0NS-CG 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB Сравнения RAM
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FBD2 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Samsung T471A1K43CB1-CRC 8GB
Kingston KHX2400C11D3/4GX 4GB
Kingston 9905744-024.A00G 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Thermaltake Technology Co Ltd R019D408GX2-3200C16A 8GB
Crucial Technology CT2K102464BD160B 8GB
Mushkin 99[2/7/4]209F 8GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800UD102408-2666 8GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Corsair CMK16GX4M2B3200C16 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Kingston ACR26D4U9S8ME-8X 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9905624-046.A00G 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Asgard VMA44UI-MEC1U2AW2 32GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKBN 8GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
AMD R7S48G2400U2S 8GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link